近日,受人工智能数据中心需求持续爆发及晶圆供应严重受限,海外存储芯片大厂大幅上调NAND闪存合约价格,涨幅高达50%。自9月开始,存储公司纷纷暂停报价准备上调涨幅,现货价格随之飙涨。DDR5、NAND闪存等颗粒的现货价翻倍,市场预期四季度DRAM环比涨幅从8月的10%-15%上调至30%-50%。
当前AI的爆发性需求拉动存储芯片打开了上涨空间。在训练阶段,AI对存储的影响主要在HBM(高带宽内存)。近期HBM新版本HBM4迎来涨价,英伟达供应链HBM4涨价超50%,约为560美元,超出此前业内500美元的预期。在推理阶段,由于巨大的token和相关缓存的产生,AI对Dram、SSD、HDD等存储产品的需求也产生巨大影响。
从基本面看,随着国内外厂商不断加强AI基础设施建设投入,AI资本开支高增,而AI存储需求的增速高于AI资本开支。
与此同时,目前电脑、手机等产品库存已处于低位,但全球存储巨头正将产能向利润更高的HBM和DDR5倾斜,由于挤占产能,传统客户恐慌备货或进一步加强存储涨价周期的强度。
免责声明:
本机构撰写的报告,系基于我们认为可靠的或已公开的信息撰写,我们不保证文中数据、资料、观点或陈述不会发生任何变更。在任何情况下,本机构撰写的报告中的数据、资料、观点或所表述的意见,仅供信息分享和参考,并不构成对任何人的投资建议。在任何情况下,我们不对任何人因使用本机构撰写的报告中的任何数据、资料、观点、内容所引致的任何损失负任何责任,阅读者自行承担风险。本机构撰写的报告,主要以电子版形式分发,也会辅以印刷品形式分发,版权均归金证研所有。未经我们同意,不得对报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改,不得用于营利或用于未经允许的其它用途。